图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Status | Active |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| RDS（ON） | 5.4 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-262 |
| 典型关闭延迟时间 | 64 ns |
| 零件号别名 | IPI05CNE8NGXK |
| 上升时间 | 42 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 85 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 21 ns |
IPI05CNE8N G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
